本学 工学部 電気電子工学科 下位 法弘 教授が、9月6日（火）に名古屋大学で開催された国際学会「第9回 半導体界面制御国際シンポジウム^※」において招待講演を行いました。

題名：Nonthermal and Selective Crystal Bridging of ZnO Grains by Irradiation with Electron Beam as Nonequilibrium Reaction Field
Norihiro Shimoi (Tohoku Inst. of Tech., Japan)

^※第9回半導体界面制御国際シンポジウム
The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces（略称:ISCSI-IX）
Si系ヘテロ半導体及び各種半導体界面制御に関する第一線の研究者が一堂に会する機会と場とを設け、最新の研究成果を参加者相互で授受することで、学術的並びに技術的課題の把握、解決策及び将来展望を討議する場。

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◆The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Webサイト