お知らせ
本学科の下位法弘教授が、9月6日に名古屋大学で開催された国際学会The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfacesにて、Invited speakerとして登壇しました。
題名：Nonthermal and Selective Crystal Bridging of ZnO Grains by Irradiation with Electron Beam as Nonequilibrium Reaction Field
Norihiro Shimoi (Tohoku Inst. of Tech., Japan)
※The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces（略称:ISCSI-IX）
Si系ヘテロ半導体及び各種半導体界面制御に関する第一線の研究者が一堂に会する機会と場とを設け、最新の研究成果を参加者相互で授受することで、学術的並びに技術的課題の把握、解決策及び将来展望を討議する場。
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◆The 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces Webサイト